REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT AND LOW POWER CONSUMPTION SENSOR

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

17/324,601

專利證號

US 11,385,670 B2

專利獲證名稱

REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT AND LOW POWER CONSUMPTION SENSOR

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2022/07/12

技術說明

電壓參考電路廣泛應用於各式電子系統中，用以產生與製程、供應電源和溫度（Process, Voltage, Temperature）變化無關的電壓來因應更多進階的無電池式的物聯網應用，如貼片式感測器系統和生醫植入器等，使得設計一個低功耗，小面積和免校準的電壓參考電路成為新的需求及挑戰。此外，除了溫度、製程、電壓穩定的要求外，低功耗的電路設計往往導致啟動時間變慢和電源抑制能力降低的問題，此兩項設計指標亦為低功耗電路設計嚴苛的考驗。 此電壓參考電路使用180nm CMOS 製程來實現，經由所提出的SDMT架構、回授控制技巧、疊接電路，及耦合電容的加入，使晶片具有170度(-40~130°C)的溫度範圍、低製程變異、200μs的快速啟動時間，與在100Hz時擁有-73.5dB的高供應電源抑制比，整體電路的功耗僅為1.8nW，成功地實現快速啟動與高供應電源排斥之超低功耗帶差參考電路。相較於傳統SDMT架構(沒有使用此晶片所提出的技術)，這次的設計的啟動速度提升約274倍，供應電源抑制比提升約25dB。此設計為目前<10nW的偏壓電路中，第一個可以在100Hz頻寬下達到-70dB以上的電源互斥比以及同時達到小於毫秒(ms)的切換速度的參考電壓源設計。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址