低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

日本

專利申請案號

特願 2004-175244

專利證號

特許 3942100

專利獲證名稱

低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2007/04/13

技術說明

本發明係一種低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法，其係利用其單一方向性之非 等向性電漿蝕刻(Anisotropic Plasma Etching)在薄膜電晶體主動層側壁形成一間距矽 (Silicon-spacer)，該問距矽提供了一雷射側向再結晶機制與可防止雷射再結晶後主動層微 縮或剝落變形等現象，此發明技術可使通道內之矽晶粒變大但在製程上不需額外光罩，如此 同時提升元件特性、提高元件均勻度與節省製程成本，此技術在現今低溫多晶矽薄膜電晶體 (LTPS-TFT)領域中將會是一項關鍵技術。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

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