三極型場發射裝置及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100125106

專利證號

I 437604

專利獲證名稱

三極型場發射裝置及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中正大學

獲證日期

2014/05/11

技術說明

本發明利用兩道網版印刷的方式製作場發射元件，兩道網印製程包括: (1)網印具有側向閘極之電極圖案於基板上及(2)對位網印場發射源漿料於電極上。透過陰-閘極之偏壓大小可作局部調光，外加電場之驅動模式(交流或直流)可以有效的利用並保護場發射源，而形成一均勻發光的結構，此電極結構可實施於平面以及曲面基板上，在背光模組或場發射發光元件上有極大商業應用空間。 本發明著重於以全網印製程製作三極場發射結構，有別於一般微影製程方法，本方法具有以下特點(a)低成本，(b)製程簡單，(c)場發射效果增加，(d)面光源，(e)可調光技術，(f)高壽命場發射元件及(g)可實施於平面及曲面基板上。此外，傳統場發射光源為點發光，而此新穎結構為發光光源。 綜合本發明結果，此場發射三極結構提供場發射元件更多元的應用。 This invention is devoted to the use of novel process to fabricate triode field emission devices. The advantages of this structure are (1) low costs, (2) simple fabrication process, (3) Novel hedgehog type field emitters, (4) surface light source, (5) local dimming technologies, and (6) AC driver model. We have successfully produced the triode structure on flat and curved substrates. Our current study has demonstrated the superior performance of this technology compared with other technologies. In conclusion, this invention offers an easy and simple process for producing of field emission device.

備註

本會(收文號1110075249)同意該校111年12月9日中正研發字第1110901265號函申請終止維護專利(國立中正大學)

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