高壓電特性鋯鈦酸鉛二氧化矽可撓型薄膜及其製法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098141680

專利證號

I 393279

專利獲證名稱

高壓電特性鋯鈦酸鉛二氧化矽可撓型薄膜及其製法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2013/04/11

技術說明

近年來軟性電子受到各國研究單位重視。由於它具備重量輕、低耗能、舒適性、可撓曲及可自由捲曲等優點。然而傳統的矽基板和玻璃基板為主的電子技術已經無法滿足這樣的需求。在軟性電子的研究領域中，軟性微發電機為發展的重要方向之ㄧ。在這些微發電機之中，又以鋯鈦酸鉛(PZT)反應快、靈敏度高和頻寬高等優點。 本發明係提供一種高壓電特性鋯鈦酸鉛二氧化矽可撓型薄膜及其製法，其製造步驟依序為形成下電極導電層於高分子基板、塗佈鋯鈦酸鉛二氧化矽複合溶膠、燒結製程及備製上電極導電層，於燒結製程步驟中，僅須加溫至90~270℃，因此能有效解決溶膠-凝膠法需要高溫燒結才能獲得較佳壓電特性之鋯鈦酸鉛薄膜之問題，並避免高分子基板結構因加熱溫度過高而受到破壞。 This patent proposes a fabrication process method to deposit PZT films on flexible structure. First, an electrode is deposited on polymer substrate. PZT nanoparticles are then dispersed in SiO2 sol. Silica sols with different concentrations of PZT particles are spin coated on flexible substrates and then sintered to form silica-PZT composite film. Finally, a layer of top electrode is deposited on the silica-PZT composite films. The patent sinter silica-PZT film at 90~270C which is much lower than other fabrication process such as at 650C. Low temperature sintering can prevent thermal degradation of polymer substrates during the sintering process.

備註

本部(收文號：第1080061750號)同意該校108年9月12日興產字第1084300593號通報專利終止維護。

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