超大型電晶體陣列式電氣參數測試裝置electric parameter test device that tests the electric parameters of a very-large-scale transistor array

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103136266

專利證號

I 509267

專利獲證名稱

超大型電晶體陣列式電氣參數測試裝置electric parameter test device that tests the electric parameters of a very-large-scale transistor array

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/11/21

技術說明

本發明係揭露一種超大型電晶體陣列式電氣參數測試裝置，其包含複數測試晶胞，每一測試晶胞更包含一待測場效電晶體與一控制場效電晶體，該控制場效電晶體之源極連接該待測場效電晶體之汲極或源極。每一測試晶胞依序被選擇作為待測晶胞。在待測晶胞進行量測時，在此待測晶胞中之該控制場效電晶體工作於飽和區或次臨界電壓區，使其汲極電流主要由其閘極與源極之電壓差所決定，藉由控制此待測晶胞的控制場效電晶體之閘極電壓以設定此待測晶胞的該待測場效電晶體之汲極或源極電壓，以準確量測此待測晶胞之待測場效電晶體之電氣參數。 An electric parameter test device that tests the electric parameters of a very-large-scale transistor array. The test device comprises a plurality of test cells connected with each other. Each test cell comprises a controlling MOSFET (CM) and a MOSFET under test (MUT). The source of the CM connects to the drain or source of the MUT. The test device sequentially selects one of the test cells as the test cell under test (TCUT). The CM of the TCUT operates in the saturation mode or the subthreshold region so that its drain current mainly determined by the voltage difference of its gate and source, and the test device sets the drain or the source voltage of the MUT of the TCUT by adjusting the gate voltage of the CM of the TCUT to accurately obtain the electric parameters of the MUT of the TCUT.

備註

本會(收文號1110027136)回應該校111年5月12日陽明交大研產學字第1110015716號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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