覆晶堆疊太陽能電池之方法Method of Hybrid Stacked Flip Chip for a Solar Cell

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/034,631

專利證號

US 9,171,990 B2

專利獲證名稱

覆晶堆疊太陽能電池之方法Method of Hybrid Stacked Flip Chip for a Solar Cell

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2015/10/27

技術說明

一種覆晶堆疊太陽能電池之方法，該太陽能電池係利用覆晶之技術堆疊成長一可吸收長波長 光線（如紅外線光）之P-N接合半導體層、一可吸收中波長光線（如可見光）之第二P-N接合 半導體層，及一可吸收短波長光線（如紫外線光）之P-N接合半導體層；且三種不同半導體材 料層可分別組合；藉此，本發明利用覆晶技術堆疊太陽能電池，解決各層之間之晶格不匹配 問題，進而可增加太陽能電池之效率。

備註

本會(收文號1110078372)同意該校111年12月27日長庚大字第1110120250號函申請終止維護專利(長庚大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

03-2118800轉3201

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