抗靜電之覆晶式矽半導體元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094144710

專利證號

I 287288

專利獲證名稱

抗靜電之覆晶式矽半導體元件

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2007/09/21

技術說明

一種抗靜電之覆晶式矽半導體元件，乃將矽控整流器結構直接製作於基板上，並利用覆晶方式將矽半導體晶片裝設於矽控整流器結構上，而可透過矽控整流器結構來釋放靜電電流，藉以提高矽半導體元件抗靜電放電的特性，達到靜電防護的效果。 一種抗靜電之覆晶式半導體元件，包含一矽控整流器結構，設至於該基板上，及一矽半導體晶片，以覆晶方式設置於該矽控整流器上。該矽控整流器為陶瓷基板，該矽控整流器包涵第一P型高摻雜區，第一N型高摻雜區，P型井，N型井。

備註

本部(收文號1040044771)同意該校104年6月23日長庚大字第1040060371號函申請終止維護專利(長庚)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

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