薄膜太陽能電池光侷限整合方法及其結構Method of Integrating Light-Trapping Layer to Thin-Film Solar Cell

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100101248

專利證號

I 594450

專利獲證名稱

薄膜太陽能電池光侷限整合方法及其結構Method of Integrating Light-Trapping Layer to Thin-Film Solar Cell

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2017/08/01

技術說明

現今，將電子與光電元件整合的豐能模組具有十分大的吸引力，原因在於如感應器、ID tags和電子指此類的電子產品，皆需要自我供能的系統。且低溫沉積之氫化非晶矽薄膜，其可沉積於可撓式基板和低廉的價格的特點，在電子/光電元件製造上唯一絕佳的人選。本實驗室在140℃下，成功製造矽薄膜太陽能電池達到9.6%光電轉換效率，所製造之電晶體其電子遷移率也達到1.1cm2/V-s。藉由此低溫薄膜沉積技術，我們將可以整合電子元件於價格低廉、可撓式之基板上，以達到能源充沛利用的成果。 Hybrid integration of solar energy harvesting module with electronic/optoelectronic devices is attractive since it could realize self-powered systems for a variety of applications in portable/remote electronics such as sensors, ID tags, and electronic paper. Low-temperature hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) is suited for electronic/photovoltaic (PV) devices on low-cost and light weight flexible substrates. For the first time, we report a low temperature silicon thin film deposition technology using high density plasma for high performance and low cost solar cells with embedded transistor modules. For process temperature at 140oC, energy conversion efficiency of 9.6% and electron mobility of 1.1 cm2/V-s have been achieved. This very low process temperature technology can integrate energy harvesting with electronics on inexpensive and flexible substrates.

備註

本部(收文號1080079312)同意該院108年12月11日國研授半導體企院字第1081301803號通報專利終止維護案。

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