氮化鋅PN接面電晶體元件之製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098122534

專利證號

I 408750

專利獲證名稱

氮化鋅PN接面電晶體元件之製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2013/09/11

技術說明

一種氮化鋅PN接面元件之製作方法，係包含一薄膜設置步驟，於一基板上形成一第一N型氮化鋅薄膜；一熱處理步驟，將該第一N型氮化鋅薄膜置入一含氧環境中，並加熱至280℃至350℃，使該第一N型氮化鋅薄膜轉變成一P型氮化鋅薄膜；一薄膜成形步驟，於該P型氮化鋅薄膜之表面形成一第二N型氮化鋅薄膜；及一電極製作步驟，設置數個分別與該第二N型氮化鋅薄膜及P型氮化鋅薄膜相連接之電極。藉此，本發明之氮化鋅PN接面電晶體元件之製作方法可提升PN接面電晶體元件之製程效率並降低製作成本。 A manufacturing method of PN junction component based on zinc nitride comprises a thin film providing step to form a first N-type zinc nitride thin film; a heating step to heat the first N-type zinc nitride thin film between 280℃ to 350℃ in an oxygen-containing environment to transform into a P-type zinc nitride thin film; a thin film forming step to provide a second N-type zinc nitride thin film on the P-type zinc nitride thin film; and an electrode forming step to provide a plurality of electrodes connecting to the second N-type zinc nitride thin film and P-type zinc nitride thin film separately. Consequently, this invention can improve process efficiency and lower cost.

備註

本部(收文號1050043321)同意該校105年6月23日中產營字第1051400638號函申請終止維護專利35件(中山)。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址