METHOD OF FABRICATING TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/870,014

專利證號

US 9,840,764

專利獲證名稱

METHOD OF FABRICATING TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2017/12/12

技術說明

石墨烯不存在直接能隙、難以與目前矽製程相容的缺點，使得具有類似石墨烯二維結構的過渡金屬硫族化物(Transition Metal Dichalcogenide，TMD)成為新一波的研究方向本發明是在提供一種製備過渡金屬硫族化物之方法，其可於150至500度的基板溫度以及25至760托耳的製程環境下生產過渡金屬硫族化物。且本發明採用的硫族元素來源是採用加熱硫族固體源並對其離子化的方式以取得硫族元素電漿，所以在本發明中可避免去使用習知製備過渡金屬硫族化物技術中的劇毒硫化氫氣體。 The present invention provides a processing method to synthesize transition metal dichalcogenide; in which, the transition metal dichalcogenide can be produced at substrate temperature from 150 to 500C and process pressure from 25 to 760 torr. The chalcogenide source of this invention is generated by heating the chalcogenide solid source until is vaporized and later the chalcogenide gas is ionized. Therefore, the processing method of transition metal dichalcogenides using plasma-enhanced chemical vapor deposition provides the advantage of a low temperature process avoiding the use of toxic hydrogen chalcogenide gas of the conventional state of the art.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址