具高截止頻率之化合物半導體元件製造方法GATE STRUCTURE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/180,714

專利證號

US 9,171,920 B2

專利獲證名稱

具高截止頻率之化合物半導體元件製造方法GATE STRUCTURE

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/10/27

技術說明

本發明提出一種具高腳的T型金屬閘極方法，一般傳統上皆是為了縮小線寬，提升電子束微影(E-beam lithography)解析度而採用薄光阻方式，因而獲得低腳的T型金屬閘極。或是在sub-50奈米線寬下利用兩階段蝕刻法製造閘極以獲得高效能電晶體特性，然而這種方式導致製程繁瑣且不利於生產製造，間接影響了開發次毫米波或兆赫波段的微波單石積體電路。本提案則改變過往在三層光阻曝光時我們將第一層厚度變厚並搭配了E-beam圖案設計，成功開發了高腳T型閘極，其高度為高於250 nm。 In this invention, we develop a method for making high-stem metal T-shaped gate to reduce parasitic and high device’s performance can be achieved. In general, the thin photoresist will be used for small gate length because we want to get fine pattern. As a result, the low gate-stem T-shaped metal gate can be obtained. In other hand, sub-50 nm two-step recess gate technique is performed in order to get high transistor’s performance. Unfortunately, it is too complete for mass production and also limits the applications in sub-millimeter wave or THz MMIC. The high-stem T-shaped gate of 250 nm was fabricated successfully and the device performance was improved.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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