硒化銅奈米粉體和電泳沉積硒化銅薄膜之製程方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101101916

專利證號

I 439578

專利獲證名稱

硒化銅奈米粉體和電泳沉積硒化銅薄膜之製程方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中正大學

獲證日期

2014/06/01

技術說明

先前技術中以蒸鍍、濺鍍、及脈衝雷射沉積等需使用真空環境之方法所製得之Cu2-xSe奈米薄膜，其可得最低之電阻率(小於10-4Ω- cm)。另一方面，非真空環境之化學浴沉積所製得的Cu2-xSe薄膜之電阻率則至少比前述真空環境之技術高出一個數量級。而藉由本發明電泳法的技術所製得之Cu1.95Se奈米薄膜之電阻率低於化學浴沉積所製得的Cu2-xSe薄膜，但仍低於以濺鍍方法製得的Cu2-xSe奈米薄膜的電阻率。雖然電阻較濺鍍方法高，但是電泳法的技術是一個非真空與低溫之製程，其可降低成本且可應用在低溫的軟性基板上。 Copper (I) selenide thin films can be fabricated by many methods including thermal evaporation, magnetron sputtering, and pulsed lased deposition, that can get the lowest resistivity( less than 10-4Ω-cm ). By the way, the Cu2-xSe thin films fabricated by non-vacuum chemical bath deposition (CBD) processes is at least an order of magnitude higher than that of films fabricated by vacuum processes. In our system, the resistivity of the optimal EPD-growth Cu1.95Se film is close to that of the CBD-derived Cu2-xSe films but is still lower than that of the sputtered Cu2-xSe films. The EPD-growth method has high potential for fabrication of non-vacuum, room-temperature-grown Cu2-xSe films.

備註

本部(收文號1090021578)同意該校中正研發字第1090002636號函申請終止維護專利(中正)

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