奈米結構的製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098132692

專利證號

I 421208

專利獲證名稱

奈米結構的製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/01/01

技術說明

本發明係關於氧化鋅(ZnO)奈米結構之形成方法，其主要係於一基材上沉積鋅(Zn)或氧化鋅(ZnO)薄膜，再使用超臨界流體處理該鋅或氧化鋅薄膜，該超臨界流體係選擇為超臨界二氧化碳，且該超臨界二氧化碳中包含有適量水，使該薄膜表面形成管狀、方塊狀、半球體狀之奈米結構。 超臨界法簡單易行，進一步可方便得到各種結構的氧化鋅奈米管，例如，可由p型和n型疊層氧化鋅薄膜處理得到氧化鋅奈米管發光二極體(LED)和鐳射，提高氧化鋅發光二極體的發光效率和密度；亦可由摻錳或鈷等磁性元素的氧化鋅薄膜處理得到稀磁氧化鋅奈米管；也可由p-i-n三層疊層氧化鋅薄膜處理得到氧化鋅奈米管太陽能電池(Solar Cell)，提高氧化鋅太陽電池的密度與效率。 This invention provides a method to prepare nano-structure by using a Supercritical Fluid composition which comprising Carbon Dioxide Supercritical Fluid (SCCO2) under low-temperature and high-pressure condition. The method is not only a novel and easy control one but also could reduce the production time more effectively.

備註

本部(收文號1100053854)同意該校110年8月25日中產營字第1101401007號函申請終止維護專利(中山)

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