於氮化鎵發光二極體上形成二氧化矽微透鏡之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097108944

專利證號

I 360895

專利獲證名稱

於氮化鎵發光二極體上形成二氧化矽微透鏡之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2012/03/21

技術說明

本發明提供一種可以在低成長溫度下，使用簡單設備在氮化鎵藍光藍光發光二極體磊晶片上成長半球形二氧化矽微透鏡的方法，不但可保持元件的光電特性，而二氧化矽大的能帶寬度及適中的折射率並達到增加光取出效率的目的。半球形微透鏡其曲率最為適當，使得射出光完全進入外部媒介中，不會在微透鏡中傳遞，甚至再反射回藍光發光二極體，故可大幅提高外部量子效率。再輔以熱退火處理，高品質二氧化矽微透鏡可將出射光的吸收損耗降到最低，更可將此應用擴展至紫外光波段藍光發光二極體。 此外，本製程易於調變控制，得到不同密度及尺寸的二氧化矽微透鏡，可發展出更多樣化的應用。

備註

本部(收文號1040002157)同意該校104年1月5日1040000012號函申請終止維護專利(中山)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址