具有通道應力源之N型與P型鍺場效電晶體以及半導體結構

專利類型

新型

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

111201140

專利證號

M 627833

專利獲證名稱

具有通道應力源之N型與P型鍺場效電晶體以及半導體結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2022/06/01

技術說明

一種P型鍺場效電晶體，此P型鍺場效電晶體係由半導體結構形成，且半導體結構包括通道層、源極、汲極、高介電係數氧化物以及閘極。通道層係以鍺作為材料。源極形成於通道層中或通道層上，係以鍺錫合金作為材料。汲極形成於通道層中或通道層上，係以鍺錫合金作為材料。高介電係數氧化物形成通道層上，且於水平方向上，介於源極與汲極之間。閘極形成於高介電係數氧化物上，且於水平方向上，介於源極與汲極之間。P型鍺場效電晶體的通道寬度與通道長度的比例大於等於5。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

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