使用動態門檻電壓字元線電晶體之記憶體單元

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092119496

專利證號

230457

專利獲證名稱

使用動態門檻電壓字元線電晶體之記憶體單元

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2005/04/01

技術說明

本發明係關於一使用動態門檻電壓字元線電晶體之記憶單元，其中利用更改基底電壓來達成 動態門檻電壓效果，以擷取高與低門檻電壓的優點，來達成加速記憶體操作和降低待機功率 消耗。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址