用於金屬編碼唯讀記憶體中消除耦合雜訊干擾之方法Method for eliminating crosstalk in a metal programmable read only memory

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/201,943

專利證號

US 7,289,376 B2

專利獲證名稱

用於金屬編碼唯讀記憶體中消除耦合雜訊干擾之方法Method for eliminating crosstalk in a metal programmable read only memory

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2007/10/30

技術說明

我們提出一個方法以除去選擇的位元線(bitlines)和他們的鄰近位元線之間的耦合雜訊。 在每一個週期的開始, 所有 位元線都處於預先充電的階段和如同在常規唯讀記憶體中對一個目標電壓預先充電。在新週期輸入位址解碼以後, 把 這些選擇的位元線透過由縱列選擇信號 Y [ J ] 控制的電晶體連接在放大器上。 在字元線打開期間 (字元線脈波是 高的), 所有這些選擇和未選擇的位元線在閱讀狀態中。 然而, 選擇的位元線的鄰近位元線(左右兩側) , 由縱列選擇 信號 Y(如圖4) 或者 編碼的預先充電信號(pre-odd, pre_even) (如圖5)控制的電晶體對一個固定的電壓 ( VDD 或 者 GND ) 緊固 (clamping)。 這個緊固方法在那些鄰近位元線上導引沒有壓降和在選擇的位元線上除去耦合雜訊(電 壓降)。 因此, 除去耦合雜訊所引起的讀碼失敗。

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

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連絡電話

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