非晶形三氧化鎢離子感測場效電晶體之裝置與製造方法(美國專利分割案)A WO3-GATE ISFET DEVICES AND METHOD OF MAKING THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

09/989,542

專利證號

US 6,617,190 B2

專利獲證名稱

非晶形三氧化鎢離子感測場效電晶體之裝置與製造方法(美國專利分割案)A WO3-GATE ISFET DEVICES AND METHOD OF MAKING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2003/09/09

技術說明

本發明係以射頻濺鍍法製備非晶形三氧化鎢薄膜之場效型離子感測元件，此種以非晶形三氧化 鎢為感測材料的場效型離子感測元件，其結構為三氧化鎢/二氧化矽雙層閘極結構，且在水溶 液中有良好的感測靈敏度，特別是在酸性緩衝溶液中有極佳的感測靈敏度，亦即在pH=l至pH=5 的量測範圍內，以非晶形三氧化鎢為感測膜的感測元件，其感測靈敏度為50~58mV/pH，且感測 線性度佳。因此，在環保意識高漲之今日，以射頻濺鍍法製備的非晶形三氧化鎢離子感測場效 電晶體，於水污染之檢測中，具有極高的可行性與應用性。 Disclosed is an ISFET comprising a H+ -sensing membrane consisting of RF- sputtering a-WO3/SiO2-gate ISFET of the present invention is very sensitive in aqueous solution, and particularly in acidic aqueous solution. The sensitivity of the present ISFET ranges from 50 to 58 mV/pH. In addition, the disclosed ISFET has high linearity. Accordingly, the disclosed ISFET can be used to detect effluent.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

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