覆晶封裝結構及其製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/065,297

專利證號

US 6,642,079 B1

專利獲證名稱

覆晶封裝結構及其製程

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2003/11/04

技術說明

一種覆晶封裝結構及其製程，主要係藉由提供銅原子於含錫焊料中，並對含錫焊料進行迴 焊的動作，含錫焊料與焊料金屬墊之間會形成一自生成介金屬化合物，本發明即是藉由此 自生成介金屬化合物來抑制該焊料金屬墊的剝離現象。 In a process of fabricating flip chip interconnection, a UBM layer is deposited on an I/O pad of a chip. The UBM layer includes a nickel layer. On the UBM layer is formed a tin-containing solder material. The chip is mounted on a carrier substrate by alignment of the bonding pad with a contact pad of the carrier substrate. A reflow process is performed to respectively turn the tin-containing solder material to a tin-containing solder bump and form a composite intermetallic compound on the nickel layer of the UBM to prevent its spalling.

備註

於102.05.29中大研字第1021430162號函知讓與(起日100.3.1)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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