晶片

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100133873

專利證號

I 473283

專利獲證名稱

晶片

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/02/11

技術說明

根據一具體實施例，本發明之晶片具有複數個表面，其包含在各表面中具有最大面積之一最大面，以及連接最大面邊緣的側表面。側表面上形成有具分散應力功能之奈米結構層，以分散晶片之應力。 於本具體實施例中，奈米結構層可包含複數奈米結構，例如奈米針或奈米柱。這些奈米結構係分別於晶片之側表面上形成應力集中點，當晶片受力時，奈米結構層上複數個應力集中點將應力分散至整個奈米結構層上，因此，可避免應力集中在晶片的功能結構上，進而防止晶片產生裂痕甚至破裂。 本發明揭露一種具有高度抗破裂性之晶片。本發明之晶片具有複數個表面，其中，這些表面包含具各表面中最大面積之最大面，以及連接於最大面邊緣之側表面。側表面上形成有奈米結構層，此奈米結構層具分散晶片應力之效果，據此，晶片本身具有高度的抗破裂性，可避免晶片於半導體製程或其他加工製程中因受到外力而磨損甚至破裂。 A wafer with high rupture resistance includes a plurality of surfaces, wherein the surfaces include a largest surface having a largest area than others and a side surface connected to the fringe of the largest surface. The side surface forms a nano-structure layer thereon to assist the stress dispersion of the wafer. Accordingly, the wafer is provided with a high rupture resistance so as to prevent the wafer from damages during semiconductor or other processes.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址