多晶晶體的製造裝置及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099126689

專利證號

I 406980

專利獲證名稱

多晶晶體的製造裝置及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2013/09/01

技術說明

此發明技術藉由改變多晶矽製造裝置，可有效提升多晶矽晶粒大小及多晶矽品質，進而提升以多晶矽製作而成之太陽能電池效率。該技術只需簡單改變現有長晶裝置，即可得到較現今工業化製程品質好的多晶矽，並且可應用於工業界，引入產線門檻低。 本發明之製造裝置設有一容置長晶液相原料之坩鍋，該坩鍋邊側或周圍則設有加熱器，以對坩鍋內之液相原料進行加熱；其中，該坩鍋底面與液相原料接觸面間形成有複數深入坩鍋底面之切槽，該切槽之開口大小係由下方至上方漸增，該切槽底部錐角角度係為80~140度，該切槽之深度係為5mm~2cm，藉由各切槽之設置使液相原料結晶成核時可自然競爭而形成較大之晶粒，且該晶粒具有孿生晶界，孿生晶界係具有相互對稱之晶界，由該體積大之晶粒沿著切槽之錐角角度向上領導成長而形成之完整多晶矽晶體，使得該多晶矽晶體不易有缺陷及雜質之產生。 By changing silicon crystalline growth device, we get mc-silicon having better quality and hence increase efficiency of solar cells made by mc-silicon. The silicon grown by the method can get higher lifetime and grain size compared with existing technology, thus enhance efficiency of solar cell. Enhancement of cell efficiency can reduce the cost of mc-Si solar cell effectively.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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