無機發光記憶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103141148

專利證號

I 589041

專利獲證名稱

無機發光記憶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2017/06/21

技術說明

過去的幾十年已發展了許多半導體元件，如記憶體和發光二極 管等；現今，這些元件的性能和可靠性已足以使用在各種實際應用，而未 來的工作可能涉及具備多種數據儲存和處理有更廣泛的功能和兼容性設備 的研究。值得注意的是，在通信的發展中，對於高速晶片間和晶片內的連 接有進一步的需求。由於載體縮減尺寸日益困難，造成傳統的電子設備發 展已接近其極限。 在幾個下一代記憶體元件之中，基於一簡單的兩端子電開關的 電阻式隨機存取記憶體(RRAM)，由於其良好的開關特性、低功耗，特別是 其三維多層堆疊以實現高密度記憶體，而具有作為替代傳統的記憶體結構 的潛力。然而，其在讀取過程中仍然是一個序列方式，也就是，數據是通 過掃描一位元後接連傳送。在實際應用中，有必要發展平行資料讀出，而 能大幅促進數據傳輸速率。 本發明提供一種整合電阻式記憶體及無機發光元件之無機發光記憶體，此無機發光記憶體元件具有簡單的結構，且可使用現有技術製造。此新穎的無機發光記憶體。此無機發光記憶體可擴展到許多其它材料系統的實際應用，鑑於其整合發光及記憶體的獨特功能，而可應用於集成光電裝置、光通信、數位記憶和記錄顯示面板等。 The invention provides an inorganic light emitting memory, comprising resistive memory in tandem with inorganic light emitting element. It is ready to be extended into many other material systems for practical applications. In view of the unique features demonstrated by the integration of light emitters and memories, the inorganic light emitting memory may open up a new route for the development of integrated optoelectronic devices, optical communication, digital memories and recordable display panels and the likes.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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