光定址電位感測器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104101645

專利證號

I 544617

專利獲證名稱

光定址電位感測器

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2016/08/01

技術說明

本發明提供一種光定址電位感測器，包含:一透明基板；一透明導電層，形成於該透明基板之上表面上；一半導體疊層，形成於該透明導電層上，由下而上包含一P型層、一本徵層以及一N型層；一感測層，形成於該半導體疊層上，係用以檢測受測溶液之一特定離子或一生物物質濃度；一感測區域，係以一封裝材料圍繞而成，設置於該感測層上；以及一發光模組，係用以提供光源照射於該透明基板之下表面，包含一發光元件、一聚焦元件以及一反射元件，該聚焦元件設置於該發光元件與該反射元件之間。 A light addressable potentiometer sensor is disclosed in the present invention and comprises a transparent substrate, a transparent conductive layer formed on the top surface of the transparent substrate, a semiconductor stack layer formed on the transparent conductive layer, a sensing layer formed on the semiconductor stack layer for detecting a specific ionic concentration or a biomass concentration of a solution under measurement, a sensing area surrounded by an encapsulation material and disposed on the sensing layer, and a light emitting module for providing a light source beneath the under surface of the transparent substrate. The semiconductor stack layer comprises a lower P-type layer, an intermediate intrinsic layer and an upper N-type layer. The light source comprises a light emitting element, a reflective element, and a the focusing element there between.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

03-2118800轉3201

網址