鎂基介金屬化合物之製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096141715

專利證號

I 347977

專利獲證名稱

鎂基介金屬化合物之製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2011/09/01

技術說明

本發明為提供一種鎂基介金屬化合物之製備方法，尤指一種能有效進行鎂基介金屬化合物之熔煉、製備與純化之方法，其係利用鎂高溫下易蒸發之原始特性，加以熱處理，進而達到高效率生產合金要求之技術者。 按，一種通稱為鎂基介金屬化合物，係以鎂為基底搭配第二元素形成結構特殊之合金，由於其特殊之晶體結構所造成之特殊應用，進而引起該鎂基介金屬化合物之開發熱潮，其主要可應用與鎳(Ni)、銅(Cu)元素搭配生成鎂系合金(如：Mg2Ni、Mg2Cu等)介金屬化合物，可作為儲氫合金，用於氫氣儲存上；因其具有特殊之反螢石結構(antifluorite structure)，在半導體薄膜、鋰電池電極、鎳氫電池電極材，以及新型熱電材料上有其廣泛之研究與應用，而前述金屬一般稱為功能性鎂基介金屬化合物。 許多實驗證實該功能性鎂基介金屬化合物之純度會嚴重影響反應之特性，又，該鎂基介金屬化合物之生成，係位於冶金學二元相圖上甚難熔配之區域，因其成分範圍非類似傳統合金為一較寬且有彈性之成份範圍，而是呈現一直線之精準成分配比，此即為冶金學上之包晶反應。又，鎂蒸氣壓大，在高溫下易揮發，因此就算初始備料成分準確，也會在升溫過程造成鎂元素的損失，進而導致失去包晶反應的精準比例，其熔配結果之成品將包含共晶結構(殘留鎂與鎂基介金屬化合物混合相)造成成分不均，純度不佳，嚴重影響其功能性鎂基介金屬化合物之儲氫、電性、熱傳導等性質。 A

備註

本部(收文號1090071728)同意該校109年11月30日中大研產字第1091401301號函申請終止維護專利(中央)

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