製備金屬氮化物膜之方法METHOD FOR FORMING METALLIC NITRIDE FILM

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/167,361

專利證號

US 8,524,049 B2

專利獲證名稱

製備金屬氮化物膜之方法METHOD FOR FORMING METALLIC NITRIDE FILM

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2013/09/03

技術說明

一種製備金屬氮氧化物膜之方法，係先將一金屬靶材與一基材置入一真空腔體中，該金屬靶材係由鈦、鋯、鉻或其合金 所製成，並將背景壓力保持在5×10-6~5×10-2 torr；接著，利用物理氣相沈積法於該基材表面形成一金屬氮氧化物膜， 沈積時該真空腔體之工作壓力保持於5×10-4~5×10-2 torr， 並將空氣與氬氣通入該真空腔體中，其中空氣/氬氣之流 量比為(12~70)/100；由於空氣之取得較純氧與純氮方便得多，且背景真空度之要求較習知方法為低，使本發明所提供 之方法具有設備簡易、製程快速、成本低廉等多重優點。 This invention is to prepare metal oxynitride (MNxOy) films by physical vapor deposition. The focal point is to replace pure O2 and N2 mixed gases with air. This new technique could reduce materials’ and equipments’ costs and hence, has more applications than the conventional process.Consider titanium oxynitride (TiNxOy). It only took 1~3 min to reach the base pressure of 1×10-4 torr, which is feasible for deposition. Resultant TiNxOy films turned silver to golden color and exhibited resistivities in the range of 400-420M μΩ-cm, which show the characteristics of TiNxOy.

備註

本部(收文號1090023163)同意該校109年4月20日興產字第1094300209號函申請終止維護專利(中興)

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