氫氣感測元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

106115749

專利證號

I 632368

專利獲證名稱

氫氣感測元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2018/08/11

技術說明

工業物聯網的快速崛起，帶動了相關軟體、硬體、通訊等產業成長。由於感測器被大量用在日常生活中，使感測器產業在這波物聯網革命中尤其受到重視。具有能與半導體技術整合之感測器被視為台灣感測科技發展的關鍵優勢，例如：磁阻感測器是藉外加磁場使阻值產生變化，且製程與半導體工業有高度相容性，其關鍵優勢為可集成各式感應器於單一晶片上，與台灣成熟的VLSI技術可媒合。磁感測器過去常用於轉速馬達、定位系統等領域，其優點為靈敏度高、體積小、能耗低、工作範圍大，且容易被整合至網路或積體電路。因此目前各產業逐漸將磁感測器應用於系統設計，並取代傳統感應器元件。 我們開發一種氫氣感測元件，包含由磁性材料層與非磁性材料層交替堆疊而成的多層膜結構，且位於該多層膜結構表層的為磁性材料層，其中至少位於表層的磁性材料層含有鈀金屬，用以感測氫氣。且該氫氣感測元件在低氫氣濃度時，可以利用外加磁場提升感測訊號。 The rapid growth of industrial networking led to the developments of many relevant industries. Because sensors are used in our daily life, its significance is constantly growing. For instance, magnetic sensors are an emerging sensor technology based on altering the resistivity of a material under the exposure of a magnetic field. Magnetic sensors are compatible with the processes used in the fabrication of silicon devices, thereby allowing the integration of sensors with on-chip signal processing. We develop a hydrogen sensing element which comprising a multilayer film structure. The multilayer structure was stacked alternately with a non-magnetic material layer and a magnetic material layer. The surface of the multilayer structure is a magnetic material layer which contains palladium metal for hydrogen sensing. Further, the use of a magnetic field was able to enhance the read-out signal of the hydrogen sensing element at low hydrogen concentration.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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