電泳式閘極異質結構場效電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100109307

專利證號

I 487101

專利獲證名稱

電泳式閘極異質結構場效電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2015/06/01

技術說明

本發明係一種砷化鎵系電晶體元件，其蕭特基介面的品質在電性元件特性中扮演一個非常重要的角色，而介面品質的好壞取決於沉積的技術。根據 DIGS模型，使用高溫及高能量的物理鍍膜技術，如熱蒸鍍(thermal evaporation, TE)、濺鍍(sputtering)、電子束蒸鍍(e-gun evaporation)，容易在半導體表面上造成缺陷導致費米能階釘住效應，使得蕭特基能障高度降低。為了改善費米能階釘住效應對元件的影響，使用電鍍及無電鍍等低溫沉積技術於元件製程上，可提升蕭特基介面的品質，但電鍍無法控制金屬的顆粒大小，而使用無電鍍將金屬氧化還原沉積的技術，則必須考慮基材的表面活性，而電泳沉積法則能解決以上之問題。 使用電泳沉積法包含下列優點:可以控制金屬顆粒大小、可沉積合金金屬、適用於各種基材、操作簡單和成本低。本發明利用電泳沉積觸媒金屬做為元件蕭特基接面閘極，日後亦可有助於氣體感測元件之應用。 根據以上所述優點，本發明之元件不但可以得到良好的場效電晶體特性且可應用於未來高頻微波通訊之積體電路上。 In this invention, we propose a GaAs-based field-effect transistor device. The quality of Schottky contact interface plays an important role on device electric characteristics. Also, the interface quality depends heavily on the deposition technique. It is known that, from the disorder-induced gap state (DIGS) model, the high-temperature and high-energy deposition techniques, e.g., thermal evaporation (TE), sputtering, and e-gun evaporation, causing disorder on the semiconductor surface would result in the surface-state pinning effect of Fermi-level. These problems could be solved by an electrophoretic deposition (EPD) approach. The EPD approach has advantages including the easy control of metal particles size, alloy metal deposition, variety substrate deposition, easy operation, and low cost. In this invention, a catalytic metal on the gate Schottky contact by the EPD approach is proposed which also can be applied in gas sensing operations.

備註

本部(收文號1060027134)同意該校106年4月25日成大研總字第1064500318號函申請終止維護專利

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