內連線結構及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095134566

專利證號

I315560

專利獲證名稱

內連線結構及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2009/10/01

技術說明

由於奈米碳管之導電性佳，承載電流密度高(109 A/cm2，約為銅的1000倍)，且散熱性佳，機械強度高，耐高溫，故極有潛力成為未來取代銅成為奈米連線之材料。本計畫以低溫製程為目標，透過400 C以下之化學氣相沉積法(thermal Chemical Vapor Deposition, CVD)之創新製程，達成奈米碳管連線之形成及進行相關之探討與研究，以期降低製程複雜度，同時提供未來金屬連線縮小化一個解決方法。 本發明為一種內連線結構，此內連線結構包括基底、導體阻障層、介電層與奈米碳管。基底中具有導電區。導體阻障層配置於導電區上，且導體阻障層中含有鐵、鈷或鎳。介電層配置於基底上。奈米碳管配置於介電層中且與導體阻障層電性連接。

備註

本部(收文號：1080064215)同意該校108年9月26日清智財字第1089006309號函申請終止維護。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

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