混合式記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102145941

專利證號

I 511238

專利獲證名稱

混合式記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2015/12/01

技術說明

由於可攜帶式電子產品的成長而需求大幅提升，揮發性記憶體與非揮發性記憶體已被廣泛的應用在各種不同的系統上，因此本專利提出一相容於邏輯製程的混合式記憶體，使揮發性記憶體與非揮發性記憶體整合成單一記憶體元件結構，不需額外增加光罩與製程步驟。同一記憶單元同時擁有存取速度快的靜態隨機存取記憶體(SRAM)，以及可長期儲存的差動型多次寫入(MTP)非揮發性記憶體。其操作模式分為MTP模式與SRAM模式，且無論MTP記憶體是否有儲存任何資料，並不影響SRAM之操作。因此，在電源持續下，可使用SRAM來存取資料，或選擇MTP來存取資料，而在電源關閉時，只有存於SRAM之資料會消失，而儲存於MTP記憶體內資料則不會消失，未來電源重新啟動後，可繼續使用。 Due to the growth of the portable electronic products, the demand is increased dramatically. Volatile and non-volatile memories are usually used in various systems. Therefore, this patent proposes a hybrid volatile and non-volatile memory cell without additional masks or process steps using the standard logic processes. The hybrid memory cell can work as the high-speed static random access memory (SRAM) or the differential multiple-time-programmable (MTP) non-volatile for long-term storage. The operations can be divided into the SRAM mode and the MTP mode. The function of SRAM is not influenced whether the MTP memory has any data stored. When the power is on, the data of this cell can be accessed by the SRAM mode or the MTP mode. After the power is off, the data stored using the SRAM mode disappear, while those using the MTP mode are still remained. Those data can be read after the power is resumed.

備註

本部(收文號1090023163)同意該校109年4月20日興產字第1094300209號函申請終止維護專利(中興)

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