熱場裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099135238

專利證號

I 418673

專利獲證名稱

熱場裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2013/12/11

技術說明

晶體內若含有雜質濃度過高，將不利於晶體品質。既有技術中晶體生長時控制雜質方法為提高原料純度或隔絕雜質融入熔湯，本技術係基於熱流理論基礎，以數值模擬方法求解並瞭解長晶爐體熱場特性，與雜質產生與傳輸機制。部分熔湯內雜質受熱會從自由表面（熔湯與氣體界面）氣化，透過熱力平衡原理，可將長晶爐體自由液面上方增設活動式導流裝置，除了可隨長晶過程調整導流裝置開啟角度外，尚可加速熔湯氣化雜質-氣體混合氣體流出爐體，來降低與控制雜質濃度。

備註

本部(收文號1090071728)同意該校109年11月30日中大研產字第1091401301號函申請終止維護專利(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址