上接觸式有機薄膜電晶體兼具緩衝層的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103130621

專利證號

I 548002

專利獲證名稱

上接觸式有機薄膜電晶體兼具緩衝層的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2016/09/01

技術說明

年來有機薄膜電晶體被廣泛地注意與研究，因其可以應用在各種低成本及可撓式的電子產品上，亦是未來高解析度主動式有機發光顯示器中，畫素補償電路及周邊驅動電路最重要的組成元件。為了讓顯示器有高對比、低串音干擾之特性，有機薄膜電晶體的關閉電流需維持在數個pA以下。因此可將漏電路徑移除之主動層圖案化技術將是非常重要的。本計畫將發展一新式有機主動層圖案化技術，此技術除了可相容黃光製程而有製作小尺寸元件之能力，更有製作電特性較優之頂接觸式結構與相容保護層之能力，以達到高效能、高可靠度之先進需求。 In recent years, organic thin-film transistors (OTFTs) have been attracting much attention due to their potential application for low-cost and flexible electronics. OTFT is also the most important component of the pixel compensation circuit and the peripheral driving circuit in the high resolution active-matrix organic light-emitting displays (AMOLEDs). To achieve high contrast and low cross-talk interference for displays, the off-current of OTFT must be reduced below several pA; the patterning schemes of active layer for removing leakage paths are essential. This project will develop a novel patterning scheme of organic active layer, and this proposed patterning scheme has the compatibilities of traditional photolithography, top-contact structure which has high electrical performance, and fabrication of passivation of OTFT, to achieve the high performance and high reliability for OTFT.

備註

本部(收文號1100045263)同意該校110年7月16日臺科大研字第1100105169號函申請終止維護專利(台科大)

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