Photodiode of Avalanche Breakdown Having Mixed Composite Charge Layer

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/793,765

專利證號

US 11,056,604

專利獲證名稱

Photodiode of Avalanche Breakdown Having Mixed Composite Charge Layer

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2021/07/06

技術說明

本發明採取混層複合式充電層（composite charge）設計，將單一P型電場控制層分成3層不同材料，且彼此互為異質接面結構，藉由控制第一、第二及第三P型電場控制層的相對濃度分布跟厚度，還有化學性選擇蝕刻出一凸台形狀，由於第一與第二P型電場控制層其材質分別為p-型摻雜之InAlAs與InP，兩者可以選擇性蝕刻，透過此單一凸台結構可讓部分的第一P型電場控制層可在蝕刻掉的同時使下方部分的第二P型電場控制層曝露在空氣中，進而可將累增層的電場侷限在結構中央，使電力可以集中，令其邊緣電場低而不會崩潰，以達到整體速度變快，強度變高之功效。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址