離子感測裝置、參考電極及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095141144

專利證號

I 326894

專利獲證名稱

離子感測裝置、參考電極及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2010/07/01

技術說明

一種參考電極，包括一導電基板；一絕緣層，大體包覆該導電基板，具有露出該導電基板一部 之一開口；一導電高分子層，設置於該開口內之導電基板上；一金屬導線，部分埋設於該絕緣 層內且部份凸出於該絕緣層外，電性接觸該導電基板；以及一遮罩，環繞凸出於該絕緣層外之 該金屬導線。 A reference electrode is provided, comprising a conductive substrate. An insulating layer is formed to substantially cover the conductive substrate, having an opening exposing a part thereof. A conductive wire partially embedded in the insulating layer and partially protruding over the insulating layer, electrically connecting the conductive substrate. A mask substantially surrounds the part of the conductive wire protruding over the insulating layer.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

網址