薄膜電晶體的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105102992

專利證號

I 636507

專利獲證名稱

薄膜電晶體的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2018/09/21

技術說明

一種薄膜電晶體的製造方法，包含以下步驟：(a)於一基板單元上沉積一閘極絕緣層；(b) 於該閘極絕緣層上依序沉積形成一氧化銦鎢通道層，及一氧化銦鎢隔離層，其中，該氧化銦鎢通道層及該氧化銦鎢隔離層是於同一濺鍍製程形成，且形成該氧化銦鎢隔離層時的氧分壓大於形成該氧化銦鎢通道層時的氧分壓；(c) 沉積二彼此相間隔且部分覆蓋該氧化銦鎢隔離層及該閘極絕緣層的源極層與汲極層；及(d)沉積一覆蓋該閘極絕緣層、該氧化銦鎢隔離層、該源極層，及該汲極層的鈍化層，並讓該源極層與該汲極層分別露出一表面。 This invention provides a method of manufacturing thin film transistor, which comprises the follow steps of (a) depositing a gate insulating layer on a base unit, (b) controlling two oxygen partial pressure in the same sputtering process for depositing a IWO channel layer and a IWO isolation layer on the gate insulating layer sequentially, (c) depositing a source electrode layer and a drain electrode layer respectively, which spacing apart from each other and partially covering the IWO channel, the IWO isolation layer, the source electrode layer, and the drain electrode layer, and (d) depositing a passivation layer which covering the gate insulating layer the IWO channel, the IWO isolation layer, the source electrode layer, and the drain electrode layer, and exposing a surface of the source electrode layer and the drain electrode layer.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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