浸入式傾斜角度曝光之高分子脊樑式波導結構之製法METHOD FOR FABRICATING POLYMER RIDGED WAVEGUIDES BY USING TILTED IMMERSION LITHOGRAPHY

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096121056

專利證號

I 339745

專利獲證名稱

浸入式傾斜角度曝光之高分子脊樑式波導結構之製法METHOD FOR FABRICATING POLYMER RIDGED WAVEGUIDES BY USING TILTED IMMERSION LITHOGRAPHY

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2011/04/01

技術說明

本發明係有關一種浸入式傾斜角度曝光之高分子脊樑式波導結構之製法，其包括：一．前置步驟、二．計算步驟、三． 一次傾斜曝光步驟、四．旋轉180°步驟、五．二次傾斜曝光步驟，以及六．完成步驟；藉此，以兩次微影成型，加上其 間一次180°轉動。 而可利用紫光外之折射，於光阻上成型具有45°傾斜面的脊樑式波導結構，如此兼具製程簡單且尺 寸穩定、可縮短製程並降低製作成本、可大量生產，以及應用範圍廣泛等優點。 This invention is a method for fabricating polymer ridged waveguides by using tilted immersion lithography. It includes the steps of: 1.preparing step; 2.calculating step; 3. first tilted immersion lithography step; 4. rotating 180-degree step; 5. second tilted immersion lithography step; and 6. finishing step. By these two tilted immersion lithography steps as well as the rotating 180-degree step between them, the UV light refracts and makes the photoresist forming a 45-degree ridged waveguide. This fabricating method is simple and stable. It can reduce the fabricating time and cost. Also, it is suitable for mass production and has wide-ranged applications.

備註

本部(收文號1060063873)同意該校106年8月10日興產字1064300420號函申請終止維護專利

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