Method for whole field thin film stress evaluation

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/430,449

專利證號

US 7,403,270 B2

專利獲證名稱

Method for whole field thin film stress evaluation

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2008/07/22

技術說明

本發明提供了一種用於全域性薄膜應力計測的方法,其係應用目前光電產業所普遍採用商用干涉儀為量測工具,以BK-7光學基板在不同基板溫度下蒸鍍一單層二氧化矽抗反射薄膜為例,利用基板鍍膜前後相位變化結果為依據,而篩選Zernike多項式函數作為位移場函數,以建立鍍膜前後基板光波前(Wavefront)變化與基板-薄膜結構之變形關係,所發展出一種新的全域性薄膜應力計測方法。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址