一種半導體元件製程METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/905,323

專利證號

US 8,975,164 B2

專利獲證名稱

一種半導體元件製程METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/03/10

技術說明

隨著平面顯示器技術的蓬勃發展，薄膜電晶體元件的應用獲得極大的重視。當下，使用薄膜型元件取代外接式積體電路組，以完成製作各種功能型電路於顯示面板上的系統整合面板技術，已經被廣泛地發展來達成產品輕、薄、低成本與高製造良率的目標。其中，非晶態金屬氧化物半導體由於具有高的載子遷移率、低製程溫度、均勻性極佳以及透明等特性，十分適合應用於未來的顯示器相關產品。本發明提供一種半導體元件製程，其至少包含下列步驟：首先，製備至少包含一閘極、一介電層、一主動層、一源極與一汲極之一半導體元件，其中半導體元件的結構具有複數個缺陷，且主動層為一金屬氧化物薄膜。接著，對半導體元件進行退火處理後，再將半導體元件置於一反應腔中進行反應。最後，通入載有修飾劑之一超臨界流體於反應腔中以使修飾劑修飾該些缺陷。 The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device. The method at least comprises the following steps. First, the semiconductor device, which comprises a gate, a gate dielectric layer, an active layer, a source and a drain, is manufactured. However, the semiconductor device has a plurality of defects, and the active layer is a metal oxide thin film. After annealing the semiconductor device, it will be transferred into a chamber. A final step of injecting a supercritical fluid carried with a co-solvent into the chamber is then performed to modify the abovementioned defects.

備註

本會(收文號1110027136)回應該校111年5月12日陽明交大研產學字第1110015716號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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