能隙參考電壓電路

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094115030

專利證號

I 267718

專利獲證名稱

能隙參考電壓電路

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2006/12/01

技術說明

本發明是一個低壓可操作及低功率消耗的能隙參考電壓電路。電壓參考源的主要目標是希望有很好的溫度穩定（good temperature stability）、製程穩定度及對供應電壓變化的穩定度，也就是要與一切外界環境因素獨立。一般的能隙 參考電壓電路往往使用大電阻與運算放大器（OpAmp）以及高比例的雙載子電晶體，皆會造成面積的增加以及誤差產 生，同時對於低供應電壓、低功率消耗跟低成本的應用皆相當的不利。本發明克服以上三項缺失，因此面積較以往的參 考電壓電路小，所以花費的成本可以降低。而且本發明省略了放大器的使用，如此不但大幅降低供應電壓，更有效的減 少電流消耗，再加上運用MOS所產生之次臨限電壓電流（subthreshold current），更進一步降低功耗，同時幫忙正溫 度係數之產生，因此得以降低雙載子電晶體的比例。

備註

本部(收文號1040089468)同意該校104年12月17日興產字1044300671號函申請終止維護專利

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