製造非晶形碳氫閘極酸鹼離子感測場效電晶體之方法及測量其溫度參數、時漂、遲滯之方法與裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091110544

專利證號

I 179204

專利獲證名稱

製造非晶形碳氫閘極酸鹼離子感測場效電晶體之方法及測量其溫度參數、時漂、遲滯之方法與裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2003/10/03

技術說明

一種具有菲晶形碳氫感測膜之pH-ISFET裝置，係利用電漿輔助－低壓化學氣相沈積系統將非 晶形碳氫膜沈積於ISFET之閘極氧化層上，於本發明之最佳化條件下，可達53-59mV/pH之線性 感測度。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

網址