電阻式記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104105392

專利證號

I 559519

專利獲證名稱

電阻式記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2016/11/21

技術說明

本發明提供一種電阻式記憶體，包含：一個第一電極層、一個可變電阻膜層結構，及一個形成於該可變電阻膜層結構上的第二電極層。該可變電阻膜層結構形成於該第一電極層之上，並具有一結晶態SnO 2-x 層，及一形成於該結晶態SnO 2-x 層上的導電性金屬氧化物層，其中，0≦x＜1。本技術透過多層膜堆疊:錫摻雜氧化銦/二氧化錫/硫化亞錫，達成可變電阻的功能。分析發現，此可變電阻的操作電壓(set/reset voltage)低，分別為0.38 V 與 - 0.15 V；高低組態阻值比高，為544倍；不需要forming process；有非線性電流電壓特性曲線；且將此多層膜堆疊作成微米結構時也保有電阻轉換的效應。因此本可變電阻在省電且高記憶密度的記憶體原件上有其應用的潛力。 This invention provides a resistive random access memory, which comprises a first electrode layer, a variable resistive layered structure, and a second electrode layer formed on the variable resistive layered structure. The variable resistive layered structure is formed over the first electrode layer, and has a crystalline SnO 2-x layer and a conductive metal oxide layer formed on the crystalline SnO 2-x layer, wherein 0≦x＜1.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址