一維鈦金屬奈米結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102100224

專利證號

I 495612

專利獲證名稱

一維鈦金屬奈米結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/08/11

技術說明

一種一維鈦金屬奈米結構及其製造方法，使用化學氣相沉積方式，並利用反應溫度300～900℃，沉積溫度為200～850℃，載流氣體之流量0.1～50sccm，反應時間5～60小時，將鈦金屬與四氯化鈦反應完成後，即可於耐溫基材上生成一維鈦金屬奈米結構，一維金屬奈米結構可包含鈦奈米線、鈦奈米帶、花狀鈦奈米線、鈦奈米柱、鈦奈米管以及鈦金屬與二氧化鈦核殼結構之不同型態，且可以很緻密的成長於耐溫基材上，而本發明的製作不需要藉由複雜的微影蝕刻技術，不用額外合成模板，也沒有配製溶液及混漿塗膜等繁雜步驟，藉此可大幅降低製作成本及縮短製作流程，並具有可以放大製程的特點。 A one-dimensional titanium nanostructure and a method for fabricating the same are provided. A titanium metal reacts with titanium tetrachloride to form the one-dimensional titanium nanostructure on a heat-resistant substrate in a CVD method and under a reaction condition of a reaction temperature of 300-900°C, a deposition temperature of 200-850°C, a flow rate of the carrier gas of 0.1-50sccm and a reaction time of 5-60 hours. The titanium nanostructure includes titanium nanowires, titanium nanobelts, flower-shaped titanium nanowires, titanium nanorods, titanium nanotubes, and titanium-titanium dioxide core-shell structures. The titanium nanostructure can be densely and uniformly grown on the heat-resistant substrate. The present invention neither uses a template nor uses the complicated photolithographic process, solution preparation process, and mixing-coating process. Therefore, the process scale-up, cost down, and the simplified production process are achieved.

備註

本會(收文號1110027136)回應該校111年5月12日陽明交大研產學字第1110015716號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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