耦合電感結構Coupled inductor structure

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/906,946

專利證號

US 7,696,853 B2

專利獲證名稱

耦合電感結構Coupled inductor structure

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2010/04/13

技術說明

一種耦合電感結構,係應用於具有至少第一介電層與設置於第一介電層下之第二介電層的複數介電層中,耦合電感結構包括至少一設置於第一介電層上之第一電感元件,其至少包括第一訊號連接埠、第一彎折部、第二彎折部、第三彎折部以及第二訊號連接埠;以及至少一設置於第二介電層上之第二電感元件,其至少包括第一訊號連接埠、第一彎折部、第二彎折部、第三彎折部以及第二訊號連接埠,其中,第一電感元件之第二彎折部與第二電感元件之第二彎折部交錯,且第一電感元件之第一彎折部及第二電感元件之第一彎折部之相對位置與第一電感元件之第三彎折部及第二電感元件之第三彎折部之相對位置相反。透過耦合電感結構中之電感元件的結構,能解決分別設置於不同介電層之電感元件,因製程中所產生的水平方向偏移,進而導致耦合電感之電感値超過容許範圍的問題。 A new structure of coupled multilayer inductor that can tolerate the misalignment between layers is proposed. The coupled inductor is split into several segmants. Each segment is designed to have opposite effect on inductance when misalignment occurs. This will then result in a more stable inductance. Simulation and measurement results show that this type of coupled inductor has much better resistance to process misalignment than traditional dtraight line coupled inductors.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址