對稱性N型/P型金屬絕緣場效電晶體之組合結構之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095113055

專利證號

I 307959

專利獲證名稱

對稱性N型/P型金屬絕緣場效電晶體之組合結構之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2009/03/21

技術說明

本發明提出一種對稱姓N型/P型金屬絕緣場效電晶體(MISFET)之組合結構及其製造方法。該組合結構主要包括二相連之P 型MISFET及N型MISFET，每一MISFET包括基板、矽鍺緩衝層、源極、汲極及閘極，其中P型MISFET係N型井之薄應變鍺 層，N型MISFET係P型井之薄應變矽層，且N型井與P型井之間具有一隔離。 本發明之金屬絕緣場效電晶體組合 結構之特徵在於：尚包括形成於P型井表面並作為電子通道之應變矽層；及形成於該N型井表面並作為電洞通道之應變鍺 層。藉由本發明之組合結構，不僅可有效提升電子及電洞遷移率，亦可減少電路佈局所需面積。

備註

本部(收文號1050025911)同意該校105年4月12日興產字1054300245號函申請終止維護專利

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