在矽基板上磊晶成長鍺薄膜的方法METHOD FOR EPITAXIAL GROWING GERMANIUM FILM ON SILICON SUBSTRATE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103128851

專利證號

I 556285

專利獲證名稱

在矽基板上磊晶成長鍺薄膜的方法METHOD FOR EPITAXIAL GROWING GERMANIUM FILM ON SILICON SUBSTRATE

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2016/11/01

技術說明

本技術是以高密度電漿之電子迴旋共振化學氣相沉積法有效解離反應氣體，以180的低溫成長磊晶鍺薄膜於矽基板(Ge on Si)之技術。其成長條件為180度的低溫製程，因此有利於降低成本，降低元件整合於系統端的限制；此外因電子迴旋共振化學氣相沉積法低離子轟擊效應的優點，其薄膜表面粗糙度約為1.44 nm，該平整表面有利於元件製作，降低介面之缺陷。本技術可簞石機體化高品質三五族化合物於矽基板上，應用開發低成本高光電表現之光電元件。 The electron cyclotron resonance chemical vapor deposition method has an advantage of high plasma density which can dissociate the reaction gases effectively. We use the method to low temperature epitaxial grow the Ge on Si at 180 degree. Such a low temperature can cost down and solve the limit for device integration. The Ge on Si has a smooth surface due to the low ion bombardment of ECR-CVD, and it can used for monolithic integration of III-V materials on Si to fabricate low cost and high performance devices.

備註

本部(收文號1080048903)同意該校108年7月19日中大研產字第1081400892號函所報終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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