含有非晶態鐵電薄膜/多晶態鐵電薄膜的電容器及其製法及該非晶態鐵電薄膜的製法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

087117803

專利證號

I 118209

專利獲證名稱

含有非晶態鐵電薄膜/多晶態鐵電薄膜的電容器及其製法及該非晶態鐵電薄膜的製法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2000/07/01

技術說明

本發明係關於一種薄膜電容元件，尤具有關一種具有一非晶態鐵電薄膜/一多晶態鐵電薄膜作為電容介電物質的薄膜電容元件。本發明亦有關一種以濺鍍方式形成該非晶態鐵電薄膜的方法。該多晶態鈦酸鋇鍶薄膜具有一高介電常數被作為該薄膜電容元件的電介層;而該非晶態鈦酸鋇鍶薄膜則被作為一緩衝層，以抑制該薄膜電容元件的漏電流。該非晶態鈦酸鋇鍶薄膜係藉由濺鍍而製備，包括將一工作氣體(例如氬氣)及一反應氣體(例如氧氣)引入一反應製程腔體內，及於室溫下產生一電漿。 ferroelectric thin films and textured ferroelectric thin films

備註

本部(收文號1050070266)同意該院105年8月23日國研業字第1050102309號函申請終止維護專利 為了系統多填I

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