具有自聚性量子點之半導體化合物用基板

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095114270

專利證號

I 292220

專利獲證名稱

具有自聚性量子點之半導體化合物用基板

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2008/01/01

技術說明

首先說明本專利材料生長系統為使用有機金屬化學氣相沈積法置備硒化鋅自聚性量子點在硫化 鋅/砷化鎵基板上，生長壓力固定於60 毫米汞柱，生長溫度為攝氏220度。成長主要載氣為氫 氣，其流量為每分鐘1公升。有機金屬鋅之來源為100克之雙乙基鋅（Zn(C2H5) 2），其保持於 攝氏負10度下，流量為每分鐘2.4毫升。硫與硒之來源分別為以氫氣稀釋至1 %之硫化氫與硒化 氫，兩者流量分別都為每分鐘40毫升。 硫化鋅的生長速度約為每分鐘18.7奈米，而硒化鋅生 長時間固定在30秒。

備註

本部(收文號1061000804)同意該校106年10月20日中產營字第1061401097號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

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