以化學氣相沉積程序於多孔洞基材形成大面積石墨烯層之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102112447

專利證號

I 456083

專利獲證名稱

以化學氣相沉積程序於多孔洞基材形成大面積石墨烯層之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/10/11

技術說明

一種以化學氣相沉積程序於多孔洞基材形成大面積石墨烯層之方法，以化學氣相沉積步驟形成一碳層於一多孔洞基材上，再進行一催化石墨化步驟，使沉積於該多孔洞基材的該碳層石墨化為一石墨層，最後進行一液相剝離步驟，使該石墨層薄化為一石墨烯層，本發明直接於該多孔洞基材上形成大面積之石墨烯層，且該多孔洞基材之複數個第一通道連通該石墨烯之複數個第二通道，因此，可應用於固體/液體的過濾與分離、溶液中的溶質與離子的吸附與分離、溶液中大分子與小分子的分離及不同氣體的分離，達到提升分離及純化的效果。 A method for forming a large-area graphene layer on a porous substrate by chemical vapor deposition process is given. First, a carbon layer is formed on the porous substrate by chemical vapor deposition. Then the carbon layer is subjected to catalytic graphitization to convert it to a graphite layer. Finally, the graphite layer is subjected to liquid-phase exfoliation to yield a much thinner graphene layer. This invention is to directly form a large-area graphene layer on a porous substrate. Further, primary channels associated with the porous substrate are connecting with secondary channels associated with the graphene layer. As a result, such a supported large-area graphene layer could be used for filtration and separation of solids from liquid, adsorption of solute and ions in the solution, separation of molecules of different sizes in the solution, and separation of different gases in a gas stream. Many types of enhancement of separation and purification are achieved accordingly.

備註

本部(收文號1070053496)同意該校107年7月27日中產營字第1071400785號函申請申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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