發光二極體結構及其製造方法LIGHT EMITTER DEVICE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/291,396

專利證號

US 7,977,687 B2

專利獲證名稱

發光二極體結構及其製造方法LIGHT EMITTER DEVICE

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2011/07/12

技術說明

本發明係提供一種發光二極體（LED）結構，該發光二極體係包含一四族半導體構成之基板，一AlN成核層，形成於該四族基板上，一GaN磊晶層，形成於該AlN成核層上，一分散式布拉格反射鏡（DBR）多層結構，形成於該圖型化之GaN磊晶層上，以及一LED作用層結構，形成於該 DBR多層結構上。 根據上述構想，其中該LED結構更包含一GaN緩衝層，形成於該DBR多層結構與該LED作用層結構之間。 根據上述構想，其中該DBR多層結構係為一三族氮化物分散式布拉格反射鏡（DBR）多層結構。 根據上述構想，其中該GaN磊晶層係為一圖型化（patterned）之磊晶層。 根據上述構想，其中該DBR多層結構係為一圖型化（patterned）之多層結構。 A light emitting device (LED) structure is provided. The LED structure includes a Group IV-based substrate, an AlN nucleation layer formed on the Group IV-based substrate, a GaN epitaxial layer formed on the AlN nucleation layer, a distributed Bragg reflector (DBR) multi-layer structure is formed on the pattern-GaN epitaxial layer, and an LED active layer is formed on the DBR multi-layer structure.

備註

本部(收文號1080035227)同意該校108年6月4日交大研產學字第1081004865號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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