製造非晶形碳氫閘極酸鹼離子感測場效電晶體之方法及測量其溫度參數、時漂、遲滯之方法與裝置A-C:H ISFET DEVICE, MANUFACTURING METHOD, AND TESTING METHODS AND APPARATUS THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/419,735

專利證號

US 6,847,067 B2

專利獲證名稱

製造非晶形碳氫閘極酸鹼離子感測場效電晶體之方法及測量其溫度參數、時漂、遲滯之方法與裝置A-C:H ISFET DEVICE, MANUFACTURING METHOD, AND TESTING METHODS AND APPARATUS THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2005/01/25

技術說明

一種具有非晶形碳氫感測膜之pH-ISFET裝置，係利用電漿輔助-低壓化學氣相沉積系統將非晶 形碳氫膜沉積於ISFET之閘極氧化層上，於本發明之最佳化條件下，可達53-59mV/pH之線性感 測度，對其最佳化條件所製作之ISFET元件利用一恆壓恆流電路，配合一電壓-時間紀錄器分 別量測出元件之遲滯與時漂，並利用電流-電壓量測系統對具有非晶形碳氫/二氧化矽雙層結 構之酸鹼離子感測場效電晶體，在不同的操作溫度及pH值下量測其電流-電壓曲線，進而由這 些電流-電壓曲線與溫度的關係，可得到非晶形碳氫酸鹼離子感測場效電晶體之溫度參數。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

網址