積體化交流式發光二極體模組之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100127680

專利證號

I 478358

專利獲證名稱

積體化交流式發光二極體模組之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2015/03/21

技術說明

一種積體化交流式發光二極體模組之方法，首先於一基板上形成一接面層，並於該接面層表面定義出分隔的一第一成長區域及一第二成長區域，接著於該第一成長區域與該第二成長區域分開成長一蕭基二極體及一發光二極體，再於該蕭基二極體、該發光二極體以及該基板上設置一鈍化層以及一金屬層。如此一來，該蕭基二極體得以透過該金屬層與該發光二極體電性連接，增加磊晶層之間電性連接的可靠度，並縮小整個模組配置的使用面積，更達到產業利用上降低成本的優勢。 A method for fabricating an integrated AC LED module comprises steps: forming a junction layer on a substrate, and defining a first growth area and a second growth area on the junction layer; respectively growing a Schottky diode and a LED on the first growth area and the second growth area; forming a passivation layer and a metallic layer on the Schottky diode, the LED and the substrate. Thereby,the Schottky diode is electrically connected with the LED via the metallic layer. Thus is promoted the reliability of electric connection of diodes, reduced the layout area of the module, and decreased the fabrication cost.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址